局放試驗儀產(chǎn)品特性第1章 局放理論概述

在開始我們的實驗以前，我們首先應該對局部放電有個初步的了解，為什么要測量局部放電？局部放電有什么危害？怎樣準確測量局部放電？有了上述理論基礎可以幫助我們理解測量過程中的正確操作。

局放試驗儀產(chǎn)品特性一、局部放電的定義及產(chǎn)生原因

在電場作用下，絕緣系統(tǒng)中只有部分區(qū)域發(fā)生放電，但尚未擊穿，（即在施加電壓的導體之間沒有擊穿）。這種現(xiàn)象稱之為局部放電。局部放電可能發(fā)生在導體邊上，也可能發(fā)生在絕緣體的表面上和內部，發(fā)生在表面的稱為表面局部放電。發(fā)生在內部的稱為內部局部放電。而對于被氣體包圍的導體附近發(fā)生的局部放電，稱之為電暈。由此 總結一下局部放電的定義，指部分的橋接導體間絕緣的一種電氣放電，局部放電產(chǎn)生原因主要有以下幾種：

電場不均勻。

電介質不均勻。

制造過程的氣泡或雜質。*經(jīng)常發(fā)生放電的原因是絕緣體內部或表面存在氣泡；其次是有些設備的運行過程中會發(fā)生熱脹冷縮,不同材料特別是導體與介質的膨脹系數(shù)不同，也會逐漸出現(xiàn)裂縫；再有一些是在運行過程中有機高分子的老化，分解出各種揮發(fā)物，在高場強的作用下，電荷不斷地由導體進入介質中， 在注入點上就會使介質氣化。

局放試驗儀產(chǎn)品特性二 、局部放電的模擬電路及放電過程簡介

介質內部含有氣泡，在交流電壓下產(chǎn)生的內部放電特性可由圖1—1的模擬電路(a b c等值電路)予以表示；其中Cc是模擬介質中產(chǎn)生放電間隙(如氣泡)的電容；Cb代表與Cc串聯(lián)部分介質的合成電容；Ca表示其余部分介質的電容。

I——介質有缺陷(氣泡)的部份(虛線表示)

II——介質無缺陷部份

圖1—1  表示具有內部放電的模擬電路

圖1—1中以并聯(lián)有—對火花間隙的電容Cc來模擬產(chǎn)生局部放電的內部氣泡。圖1—2表示了在交流電壓下局部放電的發(fā)生過程。

U(t)一一外施交流電壓

Uc(t)一一氣泡不擊穿時在氣泡上的電壓

Uc’(t)一一有局部放電時氣泡上的實際電壓

Vc一一氣泡的擊穿電壓

Y r一一氣泡的殘余電壓   

Us—局部放電起始電壓(瞬時值)

Ur一一與氣泡殘余電壓v r對應的外施電壓

Ir一一氣泡中的放電電流

電極間總電容Cx=Ca＋(Cb×Cc)/(Cb＋Cc)=Ca電極間施加交流電壓 u(t)時，氣泡電容Cc上對應的電壓為Uc(t)。如圖2—1所示，此時的Uc(t)所代表的是氣泡理想狀態(tài)下的電壓（既氣泡不發(fā)生擊穿）。

Uc(t)=U(t)×Cb/Cc＋Cb

外施電壓U(t)上升時，氣泡上電壓Uc(t)也上升，當U(t)上升到Us時，氣泡上電壓Uc達到氣泡擊穿電壓,氣泡擊穿，產(chǎn)生大量的正、負離子，在電場作用下各自遷移到氣泡上下壁，形成空間電菏，建立反電場，削弱了氣泡內的總電場強度，使放電熄滅，氣泡又恢復絕緣性能。這樣的一次放電持續(xù)時間是極短暫的，對一般的空氣氣泡來說，大約只有幾個毫微秒(10的負8次方到10的負9次方秒)。所以電壓Uc(t)幾乎瞬間地從Vc降到Vr，Vr是殘余電壓；而氣泡上電壓Uc‘(t)將隨U(t)的增大而繼續(xù)由Vr升高到Vc時，氣泡再—次擊穿，發(fā)生又—次局部放電，但此時相應的外施電壓比Us小，為(Us-Ur)，這是因為氣泡上有殘余電壓Vr的內電場作用的結果。Vr是與氣泡殘余電壓Yr相應的外施電壓，如此反復上述過程，即外施電壓每增加(Us-Ur)，就產(chǎn)生一次局部放電．直到前—次放電熄滅后，Uc’(t)上升到峰值時共增量不足以達Vc(相當于外施電壓的增量Δ比(Us-Ur)小)為止。

此后，隨著外施電壓U(t)經(jīng)過峰值Um后減小，外施電壓在氣泡中建立反方向電場，由于氣泡中殘存的內電場電壓方向與外電場方向相反，故外施電壓須經(jīng)(Us+Ur))的電壓變化，才能使氣泡上的電壓達到擊穿電壓Vc，(假定正、負方向擊穿電壓Vc相等)，產(chǎn)生一次局部放電。放電很快熄滅，氣泡中電壓瞬時降到殘余電壓Vr(也假定正、負方向相同)。外施電壓繼續(xù)下降，當再下降(Us-Ur)時，氣泡電壓就又達到Vc從而又產(chǎn)生一次局部放電。如此重復上述過程，直到外施電壓升到反向蜂值一Um的增量Δ不足以達到(Us-Ur)為止。外施電壓經(jīng)過一Um峰值后，氣泡上的外電場方向又變?yōu)檎较?，與氣泡殘余電壓方向相反，故外施電壓又須上升(Us+Ur)產(chǎn)生第—次放電，熄滅后，每經(jīng)過Us—Ur的電壓上升就產(chǎn)生一次放電，重復前面所介紹的過程。如圖1—2所示。

由以上局部放電過程分析，同時根據(jù)局部放電的特點（同種試品，同樣的環(huán)境下，電壓越高局部放電量越大）可以知道：一般情況下，同一試品在一、三象限的局部放電量大于二、四象限的局部放電量。那是因為它們是電壓的上升沿。（第三象限是電壓負的上升沿）。這就是我們測量中為什么把時間窗刻意擺在一、三象限的原因。

局放試驗儀產(chǎn)品特性三、局部放電的測量原理：

局放試驗儀產(chǎn)品特性四、局部放電的表征參數(shù)

局部放電是比較復雜的物理現(xiàn)象，必須通過多種表征參數(shù)才能全方位的描繪其狀態(tài)，同時局部放電對絕緣破壞的機理也是很復雜的，也需要通過不同的參數(shù)來評定它對絕緣的損害，目前我們只關心兩個基本參數(shù)。

視在放電電荷——在絕緣體中發(fā)生局部放電時，絕緣體上施加電壓的兩端出現(xiàn)的脈動電荷稱之為視在放電電荷，單位用皮庫（pc）表示，通常以穩(wěn)定出現(xiàn)的視在放電電荷作為該試品的放電量。

放電重復率——在測量時間內每秒中出現(xiàn)的放電次數(shù)的平均值稱為放電重復率，單位為次/秒，放電重復率越高，對絕緣的損害越大。

產(chǎn)品特性：

    ◆ 純程控工作方式，局部放電測量、分析更方便。

    ◆ 完備的全漢化軟件，漢字提示操作，簡單易學。

    ◆ 任意存儲、打印局放圖形及數(shù)據(jù)，自動生成實驗報告。

    ◆ 自由選擇橢圓、直線顯示方式，可靜態(tài)對一周波試驗電壓的局部放電脈沖詳細測量、觀測、分析。

    ◆ 穎的二維（Q-φ,N-φ）和三維（Q-φ-T,N-Q-φ）局部放電圖譜顯示，令人耳目一新。信息量更大，區(qū)分局放脈沖和干擾脈沖更容易。

    ◆ *的條形色柱及數(shù)字指示局部放電脈沖峰值。

    ◆ *一格的數(shù)字開窗技術，可避免干擾對測量的影響。

    ◆ 任意相位開窗，單窗、雙窗任選，橢圓360度旋轉。

    ◆ 雙通道測量及數(shù)字差分技術，可靈活組成脈沖極性鑒別或平衡測量回路，有效的抑制干擾脈沖信號。并同時測量兩個試品或一個試品兩個測點的局部放電信號，可方便地分析局放信號的來源。

我們生活中日常用的電，前期有很大的工程在里面，而這些工程項目的完成也需很多的儀器輔助完成，節(jié)約時間，減少人力成本，就比如常見的局放試驗儀試驗，試驗單位這里就需要用到局放試驗儀，很多單位不一定 有這樣的儀器儲備，這時候就需要尋找國內真正做局放試驗儀設備的廠家采購，要想找到國內真正做局放試驗儀設備的廠家是需要費一番周折的。那么，在國內真正做局放試驗儀的廠家還是比較分散的，揚州萬寶電氣極其注重局放試驗儀使用時的體驗度和功能上的要求，追求質量的保證，嚴格要求產(chǎn)品質量得到保障，適應年限達到保修期，維修時方便快捷。

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